Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии

Изучались процессы дефектообразования в сплавах Si$-$Ge и контрольных к ним кристаллах Si, подвергнутых облучению электронами с энергией 2.5 МэВ.
Из исследований спектров ЭПР и ИК поглощения установлено, что в образцах сплава Si$-$Ge после облучения их при комнатной температуре электронами дозой ${\Phi>10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ концентрация радиационных дефектов $A$- и $V_{2}$-центров в несколько раз ниже, чем в контрольных образцах Si.
При изохронном отжиге кристаллов по спектрам ИК поглощения $A$-центров выявлены две стадии отрицательного отжига, соответствующие отжигу $E$- и $V_{2}$-центров.
Делается предположение о механизме влияния Ge на радиационное дефектообразование в Si.