Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs

Приведены результаты исследования обратных ветвей ВАХ арсенид-галлиевых высоковольтных $p{-}n$-переходов в интервале температур $20{-}250^{\circ}$С. Показано, что результаты измерений объемной составляющей обратного тока не согласуются с теорией Шокли–Нойса–Саа. Проведенный анализ и численные расчеты полевой зависимости скорости эмиссии носителей заряда с глубоких уровней показали, что одновременный учет эффекта Пула–Френкеля и туннельной эмиссии с участием фононов позволяет объяснить аномалии в полевой и температурной зависимостях обратного тока.