Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

Обратный ток исследовался в излучающих $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP с узкозонной активной областью InGaAsP (${E_{g}=0.8}$ и 0.95 эВ) при температуре 77$-$350 K.
Установлено, что в исходных $p{-}n$-гетероструктурах обратный ток состоит из межзонной туннельной и термотуннельной компонент.
В результате длительного пропускания прямого тока в $p{-}n$-структуре происходят изменения, которые приводят к росту во времени трех туннельных компонент обратного тока. Сопоставление с прямым током показало, что термотуннельная и три чисто туннельные компоненты наблюдаются как при прямом, так и при обратном токе и имеют одинаковое происхождение.