П. И. Баранский, С. Л. Королюк, П. Г. Остафийчук, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 11,страницы 2053

Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si

П. И. Баранский, С. Л. Королюк, П. Г. Остафийчук

Аннотация: Исследуется концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс увлечения $M$ при ${T=85}$ K с учетом рассеяния электронов на акустических фононах и ионизированных примесях, а также с учетом рассеяния фононов на фононах посредством механизма Херринга и на свободных носителях тока в поле иона примеси, когда закон сохранения квазиимпульса при фонон-электронных взаимодействиях не выполняется. Получено удовлетворительное согласие результатов теоретических расчетов с опытными данными.