Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 11,страницы 2057

Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)

Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов

Аннотация: Описываются инжекционные InGaAsP/InP-гетеролазеры (${\lambda= 1.25}$ мкм), изготовленные путем диффузии цинка в изотипные структуры с раздельным ограничением (РО), выращенные методом жидкостной эпитаксии. Обсуждаются физические причины, позволяющие на основе РО ДГС с толщиной активной области 0.06 мкм получать в четырехсколотых лазерных образцах рекордно низкие значения пороговых токов (${I_{\text{п}}\simeq300\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K).