П. А. Черданцев, И. П. Чернов, Ю. А. Тимошников, В. А. Коротченко, А. П. Мамонтов, “Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 11,страницы 2061

Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения

П. А. Черданцев, И. П. Чернов, Ю. А. Тимошников, В. А. Коротченко, А. П. Мамонтов

Аннотация: Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов $\gamma$-квантами. Подъем температуры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 K. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.