Вольтамперные характеристики варизонных структур с двойной инжекцией

Проведено теоретическое исследование вольтамперных характеристик $P^{+}{-}N{-}N^{+}$-структур с варизонной базой. Показано, что при существенно больших градиентах ширины запрещенной зоны на ВАХ базы можно выделить три участка: 1)  линейный, характерный для малых уровней инжекции: 2)  участок выброса по напряжению, или участок, где невозможно стационарное токопрохождение; он обусловлен увеличением диффузионно-дрейфовых длин носителей заряда с ростом тока; 3)  участок, где влияние варизонности начинает ослабевать. Показано также, что при больших отрицательных значениях встроенных полей в широком диапазоне токов сопротивление базы диода постоянному току отрицательно.