Прыжковая фотопроводимость в полупроводниковом алмазе

Обнаружена прыжковая фотопроводимость алмаза, легированного бором, при энергиях кванта, превышающих энергию ионизации бора, и внутрицентровом фотовозбуждении. Прыжковая фотопроводимость может существенно превышать обычную зонную фотопроводимость при достаточно сильном легировании и компенсации. Показано, что эта фотопроводимость происходит по глубоким возбужденным состояниям примеси.