Особенности зонной диаграммы гетероперехода In$_{2}$O$_{3}$ : Sn${-}n$-Si

На основе результатов исследования оптических характеристик пленок Im$_{2}$O$_{3}$ : Sn и вольтфарадных характеристик структур установлено взаимное расположение энергетических зон контактирующих полупроводников в гетеропереходе In$_{2}$O$_{3}$ : Sn${-}n$-Si. Показано, что широкая запрещенная зона окисного полупроводника не является препятствием для туннелирования дырок из кремния в In$_{2}$O$_{3}$ через тонкий диэлектрический слой, расположенный на границе гетероперехода.