Пространственное распределение фотоносителей в полупроводнике при высоких уровнях возбуждения

Теоретически исследованы одномерные пространственные распределения концентрации и температуры электронно-дырочной плазмы, возбужденной сильно поглощаемым светом около поверхности полупроводника. Показано, что из-за влияния разогрева плазмы на ее коэффициент диффузии и время остывания при промежуточных значениях коэффициента поглощения возможны три типа распределений: «холодные», с «горячей» поверхностью, с «горячим» доменом. При определенных условиях существует спектральная область возбуждения, в которой возможны все три типа распределений одновременно, т. е. спектральная зависимость фотопроводимости и других фотоэффектов неоднозначна.