RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 12, страницы 2138–2141 (Mi phts2066)

Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки

И. П. Акимченко, Ю. В. Бармин, В. С. Вавилов, В. И. Гавриленко, И. В. Золотухин, В. Г. Литовченко


Аннотация: Исследованы спектры поглощения и электроотражения пленок $a$-Si, свободных от подложки, полученных методом трехэлектродного ионно-плазменного распыления. В пленках $a$-Si в большей степени проявляется ближний порядок атомов, характерный для $c$-Si. Размытость спектра обусловлена наличием большого числа оборванных связей.



© МИАН, 2024