Аннотация:
Исследованы спектры поглощения и электроотражения пленок
$a$-Si, свободных от подложки, полученных методом трехэлектродного
ионно-плазменного распыления. В пленках $a$-Si в большей степени
проявляется ближний порядок атомов, характерный для $c$-Si.
Размытость спектра обусловлена наличием большого числа оборванных связей.