RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 876–880 (Mi phts207)

Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом

Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, А. В. Саченко, О. М. Сресели

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Экспериментально показано, что в системе, состоящей из тонкой пленки закиси меди, выращенной на поверхности меди в водном растворе и находящейся в контакте с индифферентным электролитом, возникает стационарная фотоэдс, превышающая по величине барьерную фотоэдс и противоположная ей по знаку. Этот фотоэффект объяснен в рамках модели, рассматривающей захват основных разогретых светом носителей заряда — фотодырок на электрически активные группы атомов, хемосорбированные поверхностью полупроводника в процессе его выращивания.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.02.1985
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2024