RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 12, страницы 2160–2165 (Mi phts2071)

Исследование рекомбинации неравновесных носителей в кремнии методом СВЧ

В. А. Заварицкая, А. В. Кудинов, В. А. Миляев, В. А. Никитин, А. М. Прохоров, А. В. Ширков


Аннотация: Разработан неразрушающий бесконтактный метод определения основных электрофизических параметров кремниевых пластин с помощью исследования кинетики фотопроводимости в СВЧ поле при импульсном лазерном возбуждении. Предложен способ расчета кинетики при импульсном возбуждении неравновесных носителей, приведено сопоставление с экспериментом на образце кремния. Определены скорости поверхностной рекомбинации, коэффициент амбиполярной диффузии и объемное время жизни неравновесных носителей.



© МИАН, 2024