Емкость и распределение электрического поля в резкой асимметричной $p{-}n$-структуре с инверсионной прослойкой

Теоретически изучены условия появления инверсионной прослойки неосновных носителей в асимметричном $p{-}n$-переходе, которая возникает в слабо легированной области. При ее возникновении существенно изменяется распределение электрического поля по сравнению с обычной теорией истощенного слоя, в которой пренебрегается полем подвижных носителей, Правильно рассчитанное поле вблизи металлургической границы оказывается значительна больше. Рассмотрено влияние инверсионной прослойки на барьерную емкость такой структуры и установлены причины расхождения результатов предшествующих работ. Показано, что емкость $p{-}n$-перехода с инверсионной прослойкой характеризуется емкостным напряжением отсечки, которое меньше, чем контактная разность потенциалов, и зависит только от концентрации носителей в слабо легированной области. При обратном смещении, уничтожающем инверсионную прослойку, емкостное напряжение отсечки становится равным контактной разности потенциалов. Предлагаются простые аналитические формулы для описания ноля с учетом инверсионной прослойки.