RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 12, страницы 2177–2181 (Mi phts2073)

Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии

А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова, Л. С. Смирнов, С. С. Шаймеев


Аннотация: Проведены эксперименты по определению (методом емкостной спектроскопии) скоростей введения $A$-, $E$-центров и дивакансий в тигельном (КЭФ-1) и зонном (БКЭФ-1) кремнии при облучении электронами с энергией 3.5 МэВ. Предложен способ расчета констант скоростей реакций образования указанных дефектов, основанный на сравнении скоростей введения дефектов в тигельном и зонном материалах. Приведено выражение для константы скорости реакции между заряженными дефектами, учитывающее как кулоновское взаимодействие, так и перестройку в результате прохождения реакции системы энергетических уровней в запрещенной зоне. Дан метод оценки геометрических параметров реакций между дефектами по энергетическим уровням дефектов. Получены значения эффективных радиусов вакансии, кислорода, фосфора, $A$-центра, $E$-центра и вторичной дивакансий (3.6, 5.1, 3.1, 6.2, 4.9 и 5.0 Å соответственно), а также радиусов сферы реакции и эффективных барьеров образования: 8.7 Å, ${0.34\div0.36}$ эВ; 6.7Å, ${0.21\div0.24}$ эВ; 7.2 Å, ${0.15\div0.20}$ эВ соответственно для $A$-, $E$-центров и вторичных дивакансий.



© МИАН, 2024