Особенности легирующего действия In в SnTe

Проведено исследование термоэдс $\alpha$, электропроводности $\sigma$ и эффекта Холла $R_{X}$ сплавов Sn$_{1-x}$In$_{x}$Te$_{1+y}$ в зависимости от содержания индия (${0.01\leqslant x\leqslant0.08}$), концентрации сверхстехиометрического теллура (${0\leqslant y\leqslant0.06}$) и температуры (77$-$900 K).
Показано, что во всех исследованных сплавах In является акцептором, однако для каждого $x$ существует область составов по $y$, в которой акцепторное действие Те не проявляется. Таким образом, в этой области In стабилизирует положение уровня Ферми. Дальнейшее увеличение $y$ сопровождается ростом холловской концентрации дырок $p_{X}$ (область легирования), причем холл-фактор, вычисленный из зависимости $p_{X}(y)$, оказывается таким же, как и в SnTe.
Введение In приводит к появлению максимума на зависимостях $\alpha(y)$ и сопровождается изменением температурного хода $R_{X}$ и резким уменьшением $R_{X}\sigma$ по сравнению со SnTe.
Результаты объясняются в предположении, что In$^{2+}$ является в SnTe примесью с отрицательной энергией Хаббарда, и поэтому In находится в решетке в состояниях In$^{+}$ и In$^{3+}$. Особенности поведения кинетических коэффициентов связаны с появлением как резонансного, так и нерезонансного рассеяния дырок на примеси In. Обсуждаются различие и сходство легирующего действия In в РbТе и SnTe.