Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием в сильных электрических полях

Для гетероструктуры с селективным легированием GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в широком диапазоне толщин слоев (400$-$4000 Å) и концентраций донорной примеси в широкозонном материале ($10^{15}{-}10^{18}\,\text{см}^{-3}$) методом Монте-Карло рассчитаны времена переноса электронов между слоями, а также зависимости средней дрейфовой скорости от электрического поля, приложенного параллельно границам слоев.
На основании данных статистического расчета с помощью феноменологической модели (см. Горфинкель В.Б., Шофман С.Г. ФТП, 1985, т. 19, в. 1, с. 83–87) определен частотный предел отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП), обусловленной переносом электронов между слоями гетероструктуры. Показано, что в зависимости от толщины слоев и концентрации легирующей примеси частотный предел ОДП на малом сигнале составляет 70$-$200 гГц.