Закон дисперсии экситона и биэкситона в алмазоподобных полупроводниках

Показано, что при достаточно большой массе тяжелой дырки энергия экситона в алмазоподобных полупроводниках имеет минимум при отличном от нуля трансляционном импульсе. Если масса легкой дырки порядка массы электрона, глубина минимума сравнима с энергией связи при нулевом импульсе. Минимальная энергия экситона рассчитана вариационным методом для ряда конкретных полупроводников. Показано, что энергия биэкситона монотонно зависит от импульса трансляции. При учете взаимодействия дырок с полярными оптическими фононами энергия биэкситона также может иметь минимум при ненулевом импульсе.