Холловский ток и его использование для исследования полупроводников

Систематизированы результаты теоретических и экспериментальных исследований протекания холловских токов в полупроводниках. В определенных условиях измерения токов Холла могут дать такую же информацию, что и измерения ЭДС Холла, но более просты. В ряде же случаев они дают результаты, которые нельзя получить из измерений ЭДС. Особенности протекания холловского тока делают удобным определение из измерений его величины и проводимости значений подвижности и концентрации носителей заряда в высокоомных полупроводниках и диэлектриках; полупроводниковых структурах, неоднородных в направлении, перпендикулярном протекающему через структуру току, либо вдоль тока: в образцах с каналом поверхностной проводимости, слоистых структурах с эпитаксиальными пленками, слоем Шоттки, $p{-}n$-переходом, при ограничении тока пространственным зарядом и т. д.; в анизотропных материалах; при полевом разогреве электронов и дырок.
Возможность двух постановок экспериментов — измерения ЭДС и тока Холла в общем плане обусловливается дуальностью, присущей эффекту Холла.