Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа

Проведен анализ эффекта прилипания неосновных носителей заряда в кремнии $n$-типа, содержащем разупорядоченные области (РО), введенные облучением нейтронами реактора и трансформированные высокотемпературным ($400{-}700^{\circ}$С) отжигом. В предположении, что в процессе отжига в примесно-дефектной оболочке (ПДО) РО образуются дефекты, играющие (в условиях нашего эксперимента) роль центров прилипания (ЦП), подобран ряд параметров ПДО, удовлетворяющих экспериментальным результатам. Получено, в частности, что радиус ПДО ${R =1200\pm200}$ Å, энергетический уровень ЦП ${\mathcal{E}_{p}=\mathcal{E}_{V}+(0.37\pm0.01)}$ эВ и его концентрация ${M=(4.0\pm0.8)\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$. Сделаны оценки барьера образования (${E_{K}=0.65\pm0.07}$ эВ) и энергии связи (${E_{C}=1.6\pm0.2}$ эВ) дефекта в ПДО РО, играющего роль ЦП.