Ударная ионизация электронами в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Выполнен расчет функции распределения при больших энергиях и коэффициентов ударной ионизации электронов с учетом реальной зонной структуры полупроводников A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$.
Показано, что в многодолинных полупроводниках при одних и тех же значениях электрического поля в зависимости от его направления относительно кристаллографических осей может реализоваться либо дрейфовый, либо диффузионный режим разогрева электронов. Это приводит к сильной анизотропии коэффициентов ударной ионизации электронами в таких полупроводниках.
Подробно рассмотрена ударная ионизация в GaAs и InP. Результаты сопоставлены с имеющимися в литературе экспериментальными данными.