Аннотация:
Исследованы процессы образования и отжига дефектов
в Ge$\langle$Au$\rangle$, облученном гамма-лучами ${}^{60}$Со
при 78 K. Проведено также сравнение
процессов дефектообразования в этом же материале при нейтронном (300 K)
и гамма-облучении (78 и 300 K). Установлено, что условия облучения
существенно влияют на схему взаимодействия первичных собственных дефектов
с электрически активными атомами золота. Тем не менее процессы радиационного
дефектообразования в Ge$\langle$Au$\rangle$
можно описать с единой точки зрения.