RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 52–56 (Mi phts2099)

Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии

Е. Д. Васильева, В. В. Емцев, Т. В. Машовец


Аннотация: Исследованы процессы образования и отжига дефектов в Ge$\langle$Au$\rangle$, облученном гамма-лучами ${}^{60}$Со при 78 K. Проведено также сравнение процессов дефектообразования в этом же материале при нейтронном (300 K) и гамма-облучении (78 и 300 K). Установлено, что условия облучения существенно влияют на схему взаимодействия первичных собственных дефектов с электрически активными атомами золота. Тем не менее процессы радиационного дефектообразования в Ge$\langle$Au$\rangle$ можно описать с единой точки зрения.



© МИАН, 2024