Особенности высокочастотных свойств симметричной диодной структуры при баллистическом движении электронов

Определен импеданс симметричной $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуры при баллистическом движении электронов. Как действительная, так и мнимая части импеданса являются знакопеременными функциями частоты, что позволяет, в принципе, использовать рассматриваемые структуры для генерации электромагнитных колебаний СВЧ диапазона. Показано, что стационарное протекание тока через симметричную $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуру может быть неустойчивым. Найдены условия неустойчивости и инкремент нарастания колебаний.