Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga)

В сплавах PbTe(Ga) с концентрацией носителей заряда ${n,p\lesssim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ исследованы гальваномагнитные эффекты под действием гидростатического сжатия до 17 кбар в магнитных полях до 60 кЭ в области температур 4.2$-$300 K, а также фотоэлектрические явления при нормальном давлении в температурном диапазоне 4.2$-$100 K. Синтезированы высокоомные (ВО) кристаллы PbTe(Ga) с удельным сопротивлением ${\rho\gtrsim10^{5}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$ при ${T\lesssim70}$ K. Обнаружено, что под давлением энергия активации проводимости ВО сплавов PbTe(Ga) уменьшается, и при ${P\gtrsim16}$ кбар у этих систем наблюдаются гистерезисные явления при вводе и выводе сильного магнитного поля, а также долговременные релаксационные процессы электронных распределений. Установлено, что кинетика нарастания и спада фотопроводимости (ФП) ВО сплавов PbTe(Ga) характеризуется двумя процессами: быстрого (${\sim10^{-3}}$ с) изменения ФП и медленного накопления возбужденных электронов с последующим их «замораживанием» в зоне проводимости при 4.2 K.