Релаксационная ТООЗ спектроскопия радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами

Предлагается релаксационный метод исследования глубоких центров в высокоомных полупроводниках, основанный на измерениях переходного ТООЗ. Этим методом исследованы радиационные дефекты в кремнии, облученном большими дозами нейтронов. Установлено присутствие трех типов центров. Показано, что обнаруженные большие времена захвата на один из типов центров связаны с наличием коллективного барьера. Данные релаксационной спектроскопии сопоставляются с результатами, полученными из статических измерений, и известными данными емкостной спектроскопии.