О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)

По результатам исследования фотолюминесценции определены зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) при 4.2 K и от температуры для ${x< 0.23}$ в интервале ${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K. Получены эмпирические выражения для зависимостей энергетических зазоров между минимумами зоны проводимости $\Gamma, L$ и $X$ и потолком валентной зоны от состава твердого раствора для ${T=4.2}$ K. Проведено их сопоставление с ранее опубликованными данными.