Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

Приведены результаты исследования фотолюминесценции (ФЛ) твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ и Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$) при температурах 2, 77 и 300 K. Ширина запрещенной зоны обоих твердых растворов в исследовавшейся области примесной растворимости минорных компонент не обнаруживает отклонений от квадратичного закона ${E_{g}(x)=a+bx+cx^{2}}$, где $a,b$ и $c$ такие же, как и для твердых растворов, с ${x> 0.01}$. Внешний квантовый выход ФЛ $\eta$ в обеих системах твердых растворов при возрастании $x$ имеет тенденцию к росту как при низких, так и при высоких температурах. Обсуждаются возможные причины этого явления с точки зрения изменений в ансамбле точечных дефектов матрицы. Выявлены особенности в поведении глубокого акцепторного примесного центра с энергией ионизации ${\sim0.1}$ эВ (для GaAs) в зависимости от состава. Обнаружено уменьшение оптической энергии ионизации этого центра по мере снижения величины $E_{g}$ в твердых растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ и Ga$_{1-x}$In$_{x}$As. Установлено, что его энергия ионизации $E_{i}$ меняется линейно при изменении $E_{g}$, так что ${dE_{i}/dE_{g}=0.9\pm0.1}$. Новые линии в спектрах ФЛ, которые можно было бы связать с изовалентными примесями — сурьмой и индием — в интервале энергий ${1.3<h\nu<1.55}$ эВ для ${0.001<x<0.01}$ не обнаружены.