Аннотация:
Проведено исследование прыжковой проводимости
по примесям в $6H$-SiC, легированном Аl, с
${N_{A}-N_{D}=4\cdot10^{19}\div4\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ и влияния
на нее компенсации донорным Be, вводимым с помощью диффузии. Показано, что
энергия активации прыжковой проводимости ($\varepsilon_{3}$) существенно
меньше величины, определяемой классическим законом
(${\varepsilon_{3}\approx0.3\varepsilon_{A}}$), что связано с влиянием
перекрытия волновых функций акцепторного Аl. При
${N_{\text{Al}}\sim10^{21}\,\text{см}^{-3}}$ начиная с комнатных температур
выполняется закон Мотта для прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка.
Оценена плотность состояний
${g(\mu)=3\cdot10^{21}\,\text{см}^{-3}\cdot\text{эВ}^{-1}}$.