Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

Созданы фотоэлектропреобразователи на основе варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур и изучены их спектры фоточувствительности в зависимости от состава твердого раствора в области $p{-}n$-перехода $x_{j}$. Структуры изготовлены методом жидкофазной эпитаксии на подложке $p$-GaP; $p$-область легирована Mg, $n$-область — Те; содержание АlР в слое убывает от границы слой–подложка к поверхности и для разных структур ${|\nabla x|=2\cdot10^{-3}\div1\cdot10^{-2}}$ мол. дол./мкм, что соответствует ${|\nabla E_{g} |=5{-}20}$ эВ/см.
Максимум спектра фототока с ростом $x_{j}$ от 0 до 0.7 смещается из синей области в ультрафиолетовую, и энергия максимума $h\nu_{m}$ увеличивается от 2.8 до 3.1 эВ; для структур с ${x_{j} < 0.4}$ энергия ${h\nu_{m} < 3.1}$ эВ и определяется прямыми оптическими переходами, а для структур с ${x_{j}> 0.4}$ энергия $h\nu_{m}$ определяется непрямыми переходами.