RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 134–138 (Mi phts2116)

К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев


Аннотация: Анализ обратных ветвей ВАХ $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ показывает, что в пробойной области обратные токи существенно превышают по величине значения, рассчитанные в рамках простейшей модели межзонного туннельного пробоя, хотя температурная зависимость напряжения пробоя соответствует туннельному механизму. На основании того, что зависимость тока от величины электрического поля в $p{-}n$-переходе имеет вид ${j\sim E^{1/2}}$, высказано предположение, что природа избыточных токов в предпробойной области связана с флуктуациями состава и концентрации примеси в твердых растворах.



© МИАН, 2024