Аннотация:
Ранее переходные токи, ограниченные объемным
зарядом (ПТООЗ), были исследованы для структур на основе изоляторов или
полупроводников с двумя контактами ($p{-}i{-}n$-структуры), когда в отсутствие
инжекции электрическое поле распространено во всей межэлектродной области.
Настоящая работа посвящена ПТООЗ в структурах, содержащих, кроме области
объемного заряда (ООЗ) $p{-}n$-перехода, электронейтральный базовый слой
с произвольной проводимостью. Показано, что кинетика ПТООЗ определяется
совокупностью двух взаимосвязанных процессов: дрейфом в ООЗ неравновесного
заряда, сильно возмущающего электрическое поле, и протеканием тока
проводимости в базовой области под действием возникшего в ней нестационарного
электрического поля. Последнее может достигать величины, сравнимой
с напряженностью поля в ООЗ и достаточной, чтобы неравновесный заряд продолжал
дрейфовать и в ранее электронейтральной базе. Результаты имеют непосредственное
отношение к работе фотодиодов при регистрации импульсного светового излучения
большой плотности, а также могут использоваться для метрики электрофизических
параметров полупроводников (подвижности, дрейфовой скорости) на наиболее
доступных $p{-}n$-структурах.