RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1983
, том 17,
выпуск 1,
страницы
164–166
(Mi phts2126)
Краткие сообщения
Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при отжиге облученных кристаллов GaAs
К. Д. Глинчук
, Н. С. Заяц
,
А. В. Прохорович
Полный текст:
PDF файл (477 kB)
©
МИАН
, 2024