RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 166–168 (Mi phts2127)

Краткие сообщения

Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при отжиге облученного $n$-Si

П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница




© МИАН, 2024