Исследование планарных симметричных структур из кремния, компенсированного цинком

Изучены характеристики симметричных планарных $p^{+}{-}n{-}p^{+}$-структур, чувствительных к ближнему ИК излучению. Амперваттная чувствительность таких приемников при комнатной температуре достигает $10^{3}$ А/Вт. Установлены закономерности изменения вольт-амперных характеристик, зависимости фототока от мощности падающего излучения и смещения. Исследованы температурные характеристики и распределение электрического поля по базе диодов. Обсуждены природа высокой фоточувствительности, физические причины, ответственные за линейность вольтамперных характеристик, и механизмы, приводящие к формированию участков отрицательного сопротивления.