RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 910–913 (Mi phts215)

Краткие сообщения

Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием, в сильных электрических полях

В. И. Борисов, В. Ф. Дворянкин, В. А. Коробкин, А. А. Кудряшов, В. В. Лопатин, В. В. Любченко, А. А. Телегин

Институт радиотехники и электроники АН СССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 12.08.1985
Принята в печать: 16.10.1985



© МИАН, 2024