RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 5,
страницы
910–913
(Mi phts215)
Краткие сообщения
Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием, в сильных электрических полях
В. И. Борисов
,
В. Ф. Дворянкин
,
В. А. Коробкин
,
А. А. Кудряшов
,
В. В. Лопатин
,
В. В. Любченко
,
А. А. Телегин
Институт радиотехники и электроники АН СССР
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
12.08.1985
Принята в печать:
16.10.1985
Полный текст:
PDF файл (490 kB)
©
МИАН
, 2024