RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 2, страницы 305–311 (Mi phts2155)

Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость

О. В. Константинов, О. А. Мезрин


Аннотация: Показано, что последовательное сопротивление толщи перехода металл–полупроводник может существенно изменять вид вольтъемкостных характеристик диода. При низких частотах в области прямого смещения появляется минимум зависимости $1/C^{2}$ от смещения. Соответствующее ему напряжение тем меньше, чем больше последовательное сопротивление. На участке напряжений, меньших, чем напряжение минимума, характеристика практически не изменяет своего вида при изменении сопротивления. Когда частота достигает некоторого критического значения, этот участок начинает изменять свою форму. В некоторой переходной области характеристики остаются прямыми и не изменяют наклона, но смещаются вверх, что эквивалентно увеличению емкостного напряжения отсечки. При больших частотах вольтъемкостная характеристика более уже не содержит нормального прямолинейного участка. Установленные особенности вольтъемкостной характеристики позволяют определять величину последовательного сопротивления.



© МИАН, 2024