RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 2, страницы 370–371 (Mi phts2175)

Краткие сообщения

Энергия ионизации примесных уровней Sb в Ge, связанных с долинами $\langle100\rangle$ $c$-зоны

В. В. Байдаков, Н. Н. Григорьев, В. Н. Ермаков, В. В. Коломоец, Т. А. Кудыкина




© МИАН, 2024