Электропроводность полупроводников с межгранульными границами и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока

Определены условия эффективного туннелирования носителей через межгранульный барьер контакта полупроводник–полупроводник и выяснены возможные ошибки, обусловленные неучетом туннелирования в определяемых по вольтамперным характеристикам границы раздела параметрах полупроводников.
Показано, что в зависимости от характеристик материала и условий эксперимента туннельный механизм электропроводности может доминировать. Получены семейства характеристических кривых, позволяющие в реальных условиях оценить вклад туннелирования в электропроводность пограничной области. Найдены условия применимости теории, построенной без учета туннелирования носителей, к задачам спектроскопии пограничных состояний при наличии туннельной составляющей тока, приводящей к эффективному понижению барьера на величину $\simeq kT$. Построенная теория описывает электропроводность межгранульных границ в широкой области полей и температур, не приводящих к снятию пограничного барьера, и количественно согласуется в области совпадения условий применимости с результатами выполненных ранее аналогичных расчетов.