Полевое гашение поверхностной проводимости и двумерная прыжковая проводимость в $p$-InAs

При низких температурах на образцах в виде $n{-}p{-}n$-структуры исследовалась поверхностная проводимость $p$-InAs. При приложении определенного напряжения наблюдался эффект переключения структуры из низкоомного состояния в значительно более высокоомное, который связывается с полевым гашением замороженной проводимости инверсионного канала. Наблюдалась прыжковая проводимость, обусловленная, по-видимому, перескоками электронов по центрам локализации в инверсионном канале. Оценены некоторые параметры полосы локализованных состояний.