Двумерные поверхностные электроны в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с анодным окислом

Исследовано влияние анодного окисления на гальваномагнитные эффекты в полупроводниковом $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с ${x=0.19\div0.20}$ и ${N_{A}\simeq1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что при анодном окислении на поверхности полупроводника образуется инверсионный слой $n$-типа, наличие которого приводит к увеличению проводимости при ${T< 40}$ K и появлению двойной инверсии знака в температурной зависимости постоянной Холла. На образцах с анодным окислом обнаружены осцилляции Шубникова–де-Гааза поперечного магнитосопротивления, период и положение которых определяются составляющей магнитного поля, нормальной анодированной поверхности образца, что доказывает двумерную природу носителей тока в инверсионном слое. Оценены концентрация и подвижность поверхностных размерно-квантованных электронов.