Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения

Проведены исследования зависимостей внешнего квантового выхода фотолюминесценции от уровня возбуждения в ДГ-InGaAsP/InP-cтруктурах при различных температурах. Обнаружено, что при температурах ${T\geqslant225}$ K эффект «насыщения интенсивности люминесценции» наблюдается как для люминесцентного излучения, выходящего перпендикулярно плоскости структуры, так и для излучения, выводимого параллельно плоскости гетероструктуры. Установлено, что при ${T> 225}$ K насыщение интенсивности люминесценции обусловлено относительным уменьшением скорости излучательных переходов в активной области гетероструктуры. При низких температурах (${T< 225}$ K) насыщение интенсивности люминесценции наблюдается только при выводе излучения перпендикулярно плоскости структуры и обусловлено изменением углового и пространственного распределения фотонов вследствие возникновения и усиления суперлюминесцентной компоненты излучения.