RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 3, страницы 469–473 (Mi phts2195)

Фотоотклик германиевых $p^{+}{-}p$-переходов

И. Я. Мармур, Я. А. Оксман, Е. Ю. Перлин, А. В. Федоров


Аннотация: Наблюдалась фотоэдс, возникающая на сплавных контактах $p^{+}{-}p$-типа при воздействии на них излучения СO$_{2}$-лазера. Найдено, что малоинерционная составляющая этой ЭДС, обусловленная «разогревом» дырочной подсистемы излучением, резко уменьшается при возрастании температуры от 77 до $120{-}150$ K. Анализ температурной зависимости фотоэдс, учитывающий влияние температуры на высоту барьера, разделяющего области сильного и слабого легирования, и скорость релаксации фотовозбужденных дырок, качественно объясняет наблюдавшуюся на опыте зависимость фотоэдс от температуры.



© МИАН, 2024