RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 3, страницы 521–523 (Mi phts2213)

Краткие сообщения

Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении

Т. В. Машовец, Н. А. Витовский




© МИАН, 2024