RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1983
, том 17,
выпуск 3,
страницы
521–523
(Mi phts2213)
Краткие сообщения
Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении
Т. В. Машовец
,
Н. А. Витовский
Полный текст:
PDF файл (477 kB)
©
МИАН
, 2024