RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 927–929 (Mi phts222)

Краткие сообщения

Влияние электронного облучения на характеристики инжекционных фотодиодов из $p$-InSb

Ш. Д. Курмашев, О. П. Демьянчук, И. И. Чалая

Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.06.1985
Принята в печать: 27.11.1985



© МИАН, 2024