RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1983
, том 17,
выпуск 3,
страницы
538–540
(Mi phts2221)
Краткие сообщения
Влияние эффекта насыщения интенсивности люминесценции на пороги генерации ДГ-InGaAsP/InP-лазеров (
${\lambda=1.3}$
мкм) при
${T\geqslant300}$
K
Д. З. Гарбузов
, В. П. Чалый
, В. В. Агаев
,
М. К. Трукан
Полный текст:
PDF файл (467 kB)
©
МИАН
, 2024