RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 3, страницы 538–540 (Mi phts2221)

Краткие сообщения

Влияние эффекта насыщения интенсивности люминесценции на пороги генерации ДГ-InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) при ${T\geqslant300}$ K

Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, В. В. Агаев, М. К. Трукан




© МИАН, 2024