Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия

Приводятся результаты исследований оптических свойств не легированных и легированных железом монокристаллов InP. Установлено, что спектр фотолюминесценции кристаллов фосфида индия в области ${\sim1.1}$ эВ состоит из двух элементарных полос с максимумами при 1.08 и 1.14 эВ (${T=6}$ K), причем последняя обладает фононной структурой. Исследования зависимости спектров фотолюминесценции от различных последующих термообработок, а также спектров примесного электропоглощения позволили установить, что первая из полос обусловлена центром, в состав которого входит вакансия фосфора, а вторая — ассоциатом [Si$_{\text{In}}$Fe$_{\text{In}}$] с расстоянием между составляющими центрами, равным постоянной решетки фосфида индия.