Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах

Показано, что в $p{-}n$-структурах фосфида галлия как зеленого, так и красного свечения существует и находит объяснение неклассический термоинжекционный ток, т. е. ток, который имеет такую же функциональную зависимость от напряжения и температуры, как два классических термоинжекционных тока — Шокли и Шокли–Нойса–Саа: ${I=I_{0}\exp(qU_{j}/\beta kT)}$, но отличается от них значением температурно независимого характеристического параметра $\beta$, который оказался равным 4/3. Этот ток является определяющим при техническом использовании светодиодов.
Для изучения этого тока были использованы люминесцентный и электрический дифференциальный методы, которые позволили получить зависимость тока от напряжения на слое объемного заряда $U_{j}$, поскольку непосредственное измерение этой зависимости невозможно из-за влияния остаточного сопротивления $p{-}n$-структуры.
Использована модель, объясняющая этот неклассический ток безызлучательной рекомбинацией в слое объемного заряда через многозарядный центр. Вся совокупность экспериментальных данных, полученных в интервале $200{-}400$ K, укладывается в модель, согласно которой центр имеет один глубокий уровень (тепловые забросы отсутствуют) и два мелких уровня (захваченные носители находятся в тепловом равновесии со свободными). Средняя глубина двух мелких уровней равна 0.1 эВ.