Имплантация ионов галлия в пленки PbSe

Приводятся экспериментальные данные об электрофизических свойствах пленок PbSe на слюдяных подложках, легированных Ga. Примесь вводилась в пленки ионным легированием. Показано, что Ga в PbSe действует как донор. Согласие экспериментальных данных с проведенным расчетом оказывается хорошим, если предположить, что каждый атом галлия поставляет один электрон в зону проводимости или на акцепторные уровни.