Примесное поглощение света свободными носителями в бесщелевых полупроводниках

В отличие от обычного расчета примесного поглощения света свободными носителями, основанного на рассмотрении поля примесей и взаимодействия со светом в качестве возмущения, в данной работе поле ионизированных донорных прпмесей учтено в нулевом приближении — в видоизменении волновых функций электронов. Взаимодействие со светом, как и обычно, учитывается по теории возмущений. Получено выражение коэффициента $\alpha(\omega)$ — примесного поглощения бесщелевого полупроводника типа $\alpha$-Sn с учетом вырождения носителей и короткодействующего поля примесей в зависимости от частоты. Отмечено наличие трех областей частотного интервала, в которых при ${\hbar\omega\ll\frac{m_{c}}{m_{v}}\,\mu_{0}}$ ${\alpha\sim\mathrm{const}}$, при ${\hbar\omega\gg\mu_{0}}$ ${\alpha\sim\omega^{-1/2}}$, при ${\frac{m_{c}}{m_{v}}\,\mu_{0}<\hbar\omega<\mu_{0}}$ $\alpha(\omega)$ возрастает с ростом частоты. Сравнение с методом теории возмущении указывает на существенное различие частотных зависимостей примесного поглощения в этих двух подходах.