Невзаимные эффекты в неоднородных полупроводниковых структурах

Экспериментально исследованы особенности статических характеристик тонких неоднородных пленок $n$-GaAs, $n$-InSb, $p$-Ge в скрещенных Е- и В-полях, параллельных поверхности. Показано, что перераспределение носителей тока в структурах с асимметричным распределением подвижности является причиной невзаимности их свойств при смене направления одного из полей на противоположное.